ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਕਿਉਂ ਫਟਦੇ ਹਨ?ਸਮਝਣ ਲਈ ਇੱਕ ਸ਼ਬਦ!

1. ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ 

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਇੱਕ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਪਰਤ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਉੱਤੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪਰਤ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜਿਸਦੀ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੱਡੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਇਲੈਕਟੋਲਾਈਟ ਆਇਨਾਂ ਨਾਲ ਭਰਪੂਰ ਇੱਕ ਤਰਲ, ਜੈਲੀ ਵਰਗੀ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ ਧਰੁਵੀ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਯਾਨੀ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ, ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਹਮੇਸ਼ਾ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ ਕਈ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਲਈ ਵੀ ਕੁਰਬਾਨ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇੱਕ ਵੱਡਾ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਹੋਣਾ, ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਬਰਾਬਰ ਦੀ ਲੜੀ ਇੰਡਕਟੈਂਸ ਅਤੇ ਵਿਰੋਧ, ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਗਲਤੀ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਜੀਵਨ।

ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ ਵੀ ਹਨ।ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ, ਦੋ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ 1000uF, 16V ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਹਨ।ਇਹਨਾਂ ਵਿੱਚੋਂ, ਵੱਡਾ ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਛੋਟਾ ਧਰੁਵੀ ਹੈ।

(ਨਾਨ-ਪੋਲਰ ਅਤੇ ਪੋਲਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ)

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦਾ ਅੰਦਰਲਾ ਹਿੱਸਾ ਤਰਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਜਾਂ ਠੋਸ ਪੌਲੀਮਰ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅਲਮੀਨੀਅਮ (ਅਲਮੀਨੀਅਮ) ਜਾਂ ਟੈਂਟਲਮ (ਟੈਂਡਲਮ) ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਹੇਠਾਂ ਬਣਤਰ ਦੇ ਅੰਦਰ ਇੱਕ ਆਮ ਪੋਲਰ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਹੈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀਆਂ ਦੋ ਪਰਤਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਵਿੱਚ ਭਿੱਜਿਆ ਫਾਈਬਰ ਪੇਪਰ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ ਹੈ, ਨਾਲ ਹੀ ਇੱਕ ਸਿਲੰਡਰ ਵਿੱਚ ਬਦਲੀ ਹੋਈ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਪੇਪਰ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ, ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਦੇ ਸ਼ੈੱਲ ਵਿੱਚ ਸੀਲ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ।

(ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਬਣਤਰ)

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੈਸੀਟਰ ਨੂੰ ਵਿਗਾੜ ਕੇ, ਇਸਦੀ ਮੂਲ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਸਪਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਇਲੈਕਟੋਲਾਈਟ ਦੇ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਅਤੇ ਲੀਕੇਜ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ, ਕੈਪਸੀਟਰ ਪਿੰਨ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ ਸੀਲਿੰਗ ਰਬੜ ਨਾਲ ਫਿਕਸ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਬੇਸ਼ੱਕ, ਚਿੱਤਰ ਪੋਲਰ ਅਤੇ ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਅੰਦਰੂਨੀ ਵਾਲੀਅਮ ਵਿੱਚ ਅੰਤਰ ਵੀ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਉਸੇ ਸਮਰੱਥਾ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਪੱਧਰ 'ਤੇ, ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਪੋਲਰ ਨਾਲੋਂ ਲਗਭਗ ਦੁੱਗਣਾ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

(ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਅਤੇ ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਬਣਤਰ)

ਇਹ ਅੰਤਰ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦੋ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੇ ਅੰਦਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਵੱਡੇ ਅੰਤਰ ਤੋਂ ਆਉਂਦਾ ਹੈ।ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਕੈਪਸੀਟਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਖੱਬੇ ਪਾਸੇ ਹੈ ਅਤੇ ਪੋਲਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸੱਜੇ ਪਾਸੇ ਹੈ।ਖੇਤਰਫਲ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ, ਦੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਵੀ ਵੱਖਰੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੋਲਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਪਤਲੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

(ਵੱਖ-ਵੱਖ ਚੌੜਾਈ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਸ਼ੀਟ)

2. ਕੈਪਸੀਟਰ ਧਮਾਕਾ

ਜਦੋਂ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੁਆਰਾ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਵੋਲਟੇਜ ਇਸਦੀ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਾਂ ਜਦੋਂ ਪੋਲਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਧਰੁਵੀਤਾ ਨੂੰ ਉਲਟਾ ਦਿੱਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਗਰਮੀ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਗੈਸ ਦੀ ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਮਾਤਰਾ ਪੈਦਾ ਕਰੇਗਾ.

ਕੈਪਸੀਟਰ ਦੇ ਧਮਾਕੇ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ, ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਹਾਊਸਿੰਗ ਦੇ ਸਿਖਰ 'ਤੇ ਤਿੰਨ ਗਰੋਵ ਦਬਾਏ ਗਏ ਹਨ, ਤਾਂ ਜੋ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਸਿਖਰ ਨੂੰ ਉੱਚ ਦਬਾਅ ਹੇਠ ਤੋੜਨਾ ਅਤੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਦਬਾਅ ਨੂੰ ਛੱਡਣਾ ਆਸਾਨ ਹੋ ਸਕੇ।

(ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੇ ਸਿਖਰ 'ਤੇ ਬਲਾਸਟਿੰਗ ਟੈਂਕ)

ਹਾਲਾਂਕਿ, ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਕੁਝ ਕੈਪਸੀਟਰ, ਚੋਟੀ ਦੇ ਗਰੂਵ ਦਬਾਉਣ ਦੇ ਯੋਗ ਨਹੀਂ ਹਨ, ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਅੰਦਰ ਦਾ ਦਬਾਅ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਹੇਠਾਂ ਸੀਲਿੰਗ ਰਬੜ ਨੂੰ ਬਾਹਰ ਕੱਢ ਦੇਵੇਗਾ, ਇਸ ਸਮੇਂ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਅੰਦਰ ਦਾ ਦਬਾਅ ਅਚਾਨਕ ਜਾਰੀ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਬਣ ਜਾਵੇਗਾ ਇੱਕ ਧਮਾਕਾ.

1, ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ ਧਮਾਕਾ

ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੀ ਤਸਵੀਰ 1000uF ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਅਤੇ 16V ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ, ਹੱਥ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦਿਖਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ 18V ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਅਚਾਨਕ ਵੱਧ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਅੰਦਰ ਤਾਪਮਾਨ ਅਤੇ ਦਬਾਅ ਵਧ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਆਖਰਕਾਰ, ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੇ ਤਲ 'ਤੇ ਰਬੜ ਦੀ ਸੀਲ ਫਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਪੌਪਕੌਰਨ ਵਾਂਗ ਢਿੱਲੇ ਹੋ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।

(ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਓਵਰਵੋਲਟੇਜ ਬਲਾਸਟਿੰਗ)

ਇੱਕ ਕੈਪਸੀਟਰ ਨਾਲ ਥਰਮੋਕੂਪਲ ਨੂੰ ਬੰਨ੍ਹਣ ਨਾਲ, ਉਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਮਾਪਣਾ ਸੰਭਵ ਹੈ ਜਿਸ ਦੁਆਰਾ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਵਧਣ ਨਾਲ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਬਦਲਦਾ ਹੈ।ਹੇਠਲਾ ਚਿੱਤਰ ਵੋਲਟੇਜ ਵਾਧੇ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਕੈਪਸੀਟਰ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿਦਮਾਨ ਵੋਲਟੇਜ ਮੁੱਲ ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਅੰਦਰੂਨੀ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ ਜਾਰੀ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।

(ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ)

ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੀ ਤਸਵੀਰ ਉਸੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੁਆਰਾ ਵਹਿ ਰਹੇ ਕਰੰਟ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਕਰੰਟ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਅੰਦਰੂਨੀ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿੱਚ ਵਾਧੇ ਦਾ ਮੁੱਖ ਕਾਰਨ ਹੈ।ਇਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਰੇਖਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਧਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕਰੰਟ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਗਰੁੱਪ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਅੰਤ ਵਿੱਚ, ਜਦੋਂ ਕਰੰਟ 6A ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਕੈਪਸੀਟਰ ਇੱਕ ਜ਼ੋਰਦਾਰ ਧਮਾਕੇ ਨਾਲ ਫਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

(ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ)

ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ ਦੀ ਵੱਡੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਮਾਤਰਾ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਓਵਰਫਲੋ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਪੈਦਾ ਹੋਣ ਵਾਲਾ ਦਬਾਅ ਬਹੁਤ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਸ਼ੈੱਲ ਦੇ ਸਿਖਰ 'ਤੇ ਦਬਾਅ ਰਾਹਤ ਟੈਂਕ ਨਹੀਂ ਟੁੱਟਦਾ, ਅਤੇ ਹੇਠਾਂ ਸੀਲਿੰਗ ਰਬੜ. ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦਾ ਖੁੱਲਾ ਉਡਾ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।

2, ਪੋਲਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਧਮਾਕਾ 

ਪੋਲਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਲਈ, ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਜਦੋਂ ਵੋਲਟੇਜ ਕੈਪਸੀਟਰ ਦੀ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਵੀ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਜ਼ਿਆਦਾ ਗਰਮ ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਫਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤਾ ਚਿੱਤਰ ਸੀਮਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਸਮਰੱਥਾ 1000uF ਅਤੇ 16V ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਹੈ।ਓਵਰਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਅੰਦਰੂਨੀ ਦਬਾਅ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਚੋਟੀ ਦੇ ਦਬਾਅ ਰਾਹਤ ਟੈਂਕ ਦੁਆਰਾ ਜਾਰੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਵਿਸਫੋਟ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤੋਂ ਬਚਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤਾ ਚਿੱਤਰ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਵਾਧੇ ਨਾਲ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਕਿਵੇਂ ਬਦਲਦਾ ਹੈ।ਜਿਵੇਂ-ਜਿਵੇਂ ਵੋਲਟੇਜ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲ ਵੋਲਟੇਜ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੀ ਹੈ, ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦਾ ਬਕਾਇਆ ਕਰੰਟ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਤਾਪਮਾਨ ਲਗਾਤਾਰ ਵਧਦਾ ਰਹਿੰਦਾ ਹੈ।

(ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ)

ਨਿਮਨਲਿਖਤ ਚਿੱਤਰ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਦੀ ਤਬਦੀਲੀ ਹੈ, ਨਾਮਾਤਰ 16V ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ, ਟੈਸਟ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਜਦੋਂ ਵੋਲਟੇਜ 15V ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦਾ ਲੀਕੇਜ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਣਾ ਸ਼ੁਰੂ ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

(ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ)

ਪਹਿਲੇ ਦੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ, ਇਹ ਵੀ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਅਜਿਹੇ 1000uF ਸਾਧਾਰਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਸੀਮਾ।ਕੈਪਸੀਟਰ ਦੇ ਉੱਚ-ਵੋਲਟੇਜ ਟੁੱਟਣ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ, ਅਸਲ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਉਤਰਾਅ-ਚੜ੍ਹਾਅ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕਾਫ਼ੀ ਹਾਸ਼ੀਏ ਨੂੰ ਛੱਡਣਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।

3,ਲੜੀ ਵਿੱਚ electrolytic capacitors

ਜਿੱਥੇ ਢੁਕਵਾਂ ਹੋਵੇ, ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰਨ ਲਈ ਵੱਧ ਸਮਰੱਥਾ ਅਤੇ ਵੱਧ ਸਮਰੱਥਾ ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਪੈਰਲਲ ਅਤੇ ਸੀਰੀਜ਼ ਕੁਨੈਕਸ਼ਨ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।

(ਓਵਰਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਵਿਸਫੋਟ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਪੌਪਕਾਰਨ)

ਕੁਝ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਕੈਪੇਸੀਟਰ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਵੋਲਟੇਜ AC ਵੋਲਟੇਜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਪੀਕਰਾਂ ਦੇ ਕਪਲਿੰਗ ਕੈਪਸੀਟਰ, ਬਦਲਵੇਂ ਮੌਜੂਦਾ ਪੜਾਅ ਦੇ ਮੁਆਵਜ਼ੇ, ਮੋਟਰ ਫੇਜ਼-ਸ਼ਿਫਟਿੰਗ ਕੈਪੇਸੀਟਰ, ਆਦਿ, ਜਿਸ ਲਈ ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

ਕੁਝ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਨਿਰਮਾਤਾਵਾਂ ਦੁਆਰਾ ਦਿੱਤੇ ਗਏ ਉਪਭੋਗਤਾ ਮੈਨੂਅਲ ਵਿੱਚ, ਇਹ ਵੀ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਕਿ ਬੈਕ-ਟੂ-ਬੈਕ ਸੀਰੀਜ਼ ਦੁਆਰਾ ਰਵਾਇਤੀ ਪੋਲਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ, ਯਾਨੀ ਕਿ, ਲੜੀ ਵਿੱਚ ਦੋ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਇਕੱਠੇ, ਪਰ ਪੋਲਰਿਟੀ ਗੈਰ-ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਉਲਟ ਹੈ. ਧਰੁਵੀ capacitors.

(ਓਵਰਵੋਲਟੇਜ ਧਮਾਕੇ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਸਮਰੱਥਾ)

ਅੱਗੇ ਵੋਲਟੇਜ, ਰਿਵਰਸ ਵੋਲਟੇਜ, ਦੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਬੈਕ-ਟੂ-ਬੈਕ ਲੜੀ ਨੂੰ ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ, ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦੇ ਨਾਲ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਦੇ ਤਿੰਨ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਪੋਲਰ ਕੈਪਸੀਟਰ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੀ ਗਈ ਹੈ।

1. ਫਾਰਵਰਡ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ

ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੁਆਰਾ ਵਹਿ ਰਹੇ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਲੜੀ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਰੋਧਕ ਨਾਲ ਜੋੜ ਕੇ ਮਾਪਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੈਸੀਟਰ (1000uF, 16V) ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਸੀਮਾ ਦੇ ਅੰਦਰ, ਅਨੁਸਾਰੀ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ ਨੂੰ ਮਾਪਣ ਲਈ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ 0V ਤੋਂ ਵਧਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

(ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਲੜੀ ਸਮਰੱਥਾ)

ਹੇਠਲਾ ਚਿੱਤਰ ਪੋਲਰ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ 0.5mA ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਨਾਲ ਇੱਕ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਸਬੰਧ ਹੈ।

(ਅੱਗੇ ਦੀ ਲੜੀ ਦੇ ਬਾਅਦ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ)

2, ਰਿਵਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ

ਲਾਗੂ ਦਿਸ਼ਾ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ ਨੂੰ ਮਾਪਣ ਲਈ ਉਸੇ ਕਰੰਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਚਿੱਤਰ ਤੋਂ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਜਦੋਂ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਰਿਵਰਸ ਵੋਲਟੇਜ 4V ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਣਾ ਸ਼ੁਰੂ ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਨਿਮਨਲਿਖਤ ਕਰਵ ਦੀ ਢਲਾਨ ਤੋਂ, ਉਲਟਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ 1 ਓਮ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੈ।

(ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਵਿਚਕਾਰ ਰਿਵਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਸਬੰਧ)

3. ਬੈਕ-ਟੂ-ਬੈਕ ਸੀਰੀਜ਼ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਦੋ ਇੱਕੋ ਜਿਹੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ (1000uF, 16V) ਇੱਕ ਗੈਰ-ਧਰੁਵੀ ਬਰਾਬਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲੜੀ ਵਿੱਚ ਪਿੱਛੇ-ਪਿੱਛੇ ਜੁੜੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ ਵਕਰ ਨੂੰ ਮਾਪਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

(ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਤੇ ਨੈਗੇਟਿਵ ਪੋਲਰਿਟੀ ਸੀਰੀਜ਼ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ)

ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤਾ ਚਿੱਤਰ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਤੁਸੀਂ ਦੇਖ ਸਕਦੇ ਹੋ ਕਿ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ 4V ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਐਪਲੀਟਿਊਡ 1.5mA ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੈ।

ਅਤੇ ਇਹ ਮਾਪ ਥੋੜਾ ਹੈਰਾਨੀਜਨਕ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਤੁਸੀਂ ਦੇਖਦੇ ਹੋ ਕਿ ਇਹਨਾਂ ਦੋ ਬੈਕ-ਟੂ-ਬੈਕ ਸੀਰੀਜ਼ ਕੈਪੇਸੀਟਰਾਂ ਦਾ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਦੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਅੱਗੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

(ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਤੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਲੜੀ ਦੇ ਬਾਅਦ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ)

ਹਾਲਾਂਕਿ, ਸਮੇਂ ਦੇ ਕਾਰਨਾਂ ਕਰਕੇ, ਇਸ ਵਰਤਾਰੇ ਲਈ ਕੋਈ ਵਾਰ-ਵਾਰ ਟੈਸਟ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ.ਸ਼ਾਇਦ ਵਰਤੇ ਗਏ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੁਣੇ ਹੀ ਰਿਵਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਟੈਸਟ ਦਾ ਕੈਪਸੀਟਰ ਸੀ, ਅਤੇ ਅੰਦਰ ਨੁਕਸਾਨ ਸੀ, ਇਸ ਲਈ ਉਪਰੋਕਤ ਟੈਸਟ ਕਰਵ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।